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美國EOT InGaAs 銦鎵砷高速光電探測器

產品簡介

美國EOT InGaAs 銦鎵砷高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；響應度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；帶寬：＞１０ＧＨｚ；有效面積直徑：４０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接,FC/UPC

產品型號：ET-5000F

更新時間：2024-12-04

廠商性質：經銷商

訪問量：2359

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產品分類

光電探測器

超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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品牌	其他品牌	產地類別	進口
應用領域	環保,食品/農產品,能源

筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產品

EOT 的 >10 GHz 光電探測器包含 PIN 光電二極管，利用光伏效應將光功率轉換為電流。當端接到示波器的 50 Ω 電阻時，可以測量激光的脈沖寬度。當端接到頻譜分析儀的 50 Ω 電阻時，可以測量激光器的頻率響應。 EOT 的 >10 GHz 光電探測器自帶由長壽命鋰電池組成的內部偏置電源。將同軸電纜插入光電檢測器的 SMA 輸出連接器并在示波器或頻譜分析儀上端接 50 Ω 即可運行。

技術參數

特征

占地面積小

內部電壓偏置

直流至 22 GHz

選項

可以訂購可選的壁掛式電源

提供光纖耦合或自由空間選項

探測器材質

應用

監控調Q激光器的輸出

監控鎖模激光器的輸出

監測外部調制連續激光器的輸出

高頻、外差應用

時域和頻率響應測量

ET-5000 - >10 GHz 2 µm 擴展 InGaAs 光電探測器

零件號（型號）	120-10105-0001 (ET-5000)	120-10104-0001 (ET- 5000F )
探測器材質	銦鎵砷	銦鎵砷
上升時間/下降時間	28 ps/28 ps	28 ps/28 ps
響應度一	1.3 A/W在 2000 nm	0.95 A/W 在 2000 nm
電源	3伏	3伏
帶寬	>10 GHz	>10 GHz
有效面積直徑	40 微米	40 微米
暗電流	<1 µA	<1 µA
接受角（1/2角）	20 °	不適用
噪聲等效功率b	15 pW/ √Hz在 2000 nm	20 pW/ √Hz在 2000 nm
最大線性額定 CW	3毫安	3毫安
安裝（螺紋孔）	8-32 或 M4	8-32 或 M4
輸出連接器	SMA	SMA
光纖連接c	不適用	FC/UPC

產品規格可能會發生變化。所有產品均符合 RoHS 標準。
a光電探測器有一個內部 50 Ω 終端。響應數據僅適用于二極管。檢測器輸出應根據圖表所示響應度的 1/2 確定。
b 噪聲等效功率 (NEP) 由開路輸出確定。
c 多模光纖可用。可能會限制帶寬。
注意：除非另有說明，否則所有規格均適用于 50 Ω 端接。

SPECIFICATIONS
型號	120-10058-0001 (ET-3500)	120-10068-0001 (ET-3500F)	120-10071-0001 (ET-4000)	120-10081-0001 (ET-4000F)	120-10105-0001 (ET-5000)	120-10104-0001 (ET-5000F)	120-10140-0001 (ET-3600)	120-10142-0001 (ET-3600F)
材料	InGaAs	InGaAs	GaAs	GaAs	InGaAs	InGaAs	InGaAs	InGaAs
上升時間/下降時間	<25 ps/<25 ps	<25 ps/<25 ps	<30 ps/<30 ps	<30 ps/<30 ps	28 ps/28 ps	28 ps/28 ps	16 ps/16 ps	16 ps/16 ps
響應度	>0.90 A/W at 1300 nm	>0.65 A/W at 1300nm	0.53 A/W at 830 nm	0.38 A/W at 830 nm	1.3 A/W at 2000 nm	0.95 A/W at 2000 nm	>0.70 A/W at 1300 nm	>0.70 A/W at 1300 nm
電源	6 VDC	6 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC
波段	>15 GHz	>15 GHz	>12.5 GHz	>12.5 GHz	>10 GHz	>10 GHz	>22 GHz	>22 GHz
有效面積直徑	32µm	32 µm	60 µm	60 µm	40 µm	40 µm	20 µm	20 µm
暗電流	<3 nA	<3 nA	<0.5 nA	<0.5 nA	<1 µA	<1 µA	<1 nA	<1 nA
接受角	15?	N/A	15?	N/A	20?	N/A	15?	N/A
噪聲等效功率	20 pW/√Hz at 1300 nm	28 pW/√Hz at 1300 nm	35 pW/√Hz at 830 nm	45 pW/√Hz at 830 nm	15 pW/√Hz at 2000 nm	20 pW/√Hz at 2000 nm	26 pW/√Hz at 1300 nm	26 pW/√Hz at 1300 nm
CW 最大線性額定值	10 mW	10 mW	10 mW	10 mW	3 mA	3 mA	10 mW	10 mW
安裝（螺紋孔）	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4
輸出連接器	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA
光纖連接	N/A	FC/UPC, SMF28e	N/A	FC/UPC, SMF28e	N/A	FC/UPC	N/A	FC/UPC, SMF28e

產品規格可能會更改。所有產品均符合RoHS標準。

光電探測器具有內部50Ω終端。響應度數據僅適用于二極管。探測器輸出應根據圖中所示響應度的1/2確定。

噪聲等效功率（NEP）通過開路輸出確定。

c多模光纖可用。可能會限制帶寬。

注：除非另有說明，否則所有規范均適用于50Ω終端。

技術參數

特征

占地面積小

內部電壓偏置

直流至 22 GHz

選項

可以訂購可選的壁掛式電源

提供光纖耦合或自由空間選項

探測器材質

應用

監控調Q激光器的輸出

監控鎖模激光器的輸出

監測外部調制連續激光器的輸出

高頻、外差應用

時域和頻率響應測量

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美國EOT InGaAs 銦鎵砷高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；響應度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；帶寬：＞１０ＧＨｚ；有效面積直徑：４０ｕｍ；輸出連接：ＳＭＡ光纖連接,FC/UPC

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美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ＧＨｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接,FC/UPC

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