銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (140MHz)銦鎵砷(InGaAs)光電探測(cè)器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測(cè)器，用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)從光電sensor感應(yīng)面輸入，輸出通過(guò)BNC以電壓形式輸出。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-05

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問(wèn)量：1649

產(chǎn)品咨詢 18602170419

product

產(chǎn)品分類

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

tel-phone

400-828-1550

查看全部

article

相關(guān)文章

詳細(xì)介紹在線留言

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (140MHz)

銦鎵砷(InGaAs)光電探測(cè)器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測(cè)器，用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)從光電sensor感應(yīng)面輸入，輸出通過(guò)BNC以電壓形式輸出。本產(chǎn)品能測(cè)量800nm到1700nm波長(zhǎng)范圍的光信號(hào)。具體性能參數(shù)數(shù)據(jù)參考附錄表格。LD-PD光電探測(cè)器外殼帶有英制1/4"-20螺紋的安裝孔，可以方便的安裝固定。外殼部分還附帶兩種不同尺寸的螺紋接圈，這兩種螺紋接圈分別適合于工業(yè)應(yīng)用和科研應(yīng)用，可以方便適配外部光學(xué)部件，如濾光片，衰減片，鏡頭，F(xiàn)C光纖轉(zhuǎn)接盤等。該產(chǎn)品包含一個(gè)塑料防塵蓋。具體安裝請(qǐng)參考閱讀第三章節(jié)。每個(gè)光電探測(cè)器都配有一個(gè)輸出±9V的直流線性電源，該直流電源的輸入額定電壓為220VAC/50HZ。銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (140MHz)

光譜響應(yīng)

800-1700nm

帶寬(Hz)

12 MHz

通用參數(shù)

搜狗截圖20220217135438.png

產(chǎn)品特點(diǎn)：

低噪聲，小于±lmV

過(guò)沖小，過(guò)沖電壓小于2.5%

增益穩(wěn)定：增益誤差小于1%

暗偏置電壓輸出噪聲：小于ImV (rms)

應(yīng)用領(lǐng)域：

•顯示面板檢測(cè)

•LED照明頻閃分析

•玩具燈閃爍頻率及功率測(cè)量

•氣體分析

參數(shù)

PN#	PDA M 005B- Si	PDA M 36A5B6G- SI	PDA M 20A6B4G- InGaAs
電器特性
輸入電壓	±9VDC, 60mA	±9VDG 100mA	±9VDC. 100mA
探頭	Silicon PIN	Silicon PIN	InGaAs PIN
感光面	2.65mm * 2.65mm	3.6mm * 3.6mm	Diameters@2 mm
波長(zhǎng)	400 nm - 1100 nm	320 nm - 1100 nm	800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可選擴(kuò)展) 2600nm)
峰值響應(yīng)	0.62A/W @850nm	0.6 A/W @960nm	0.9 A/W@1550nm
	43.6mV/uW @850nm	1 mV/nW @960nm	9mV/uW@1550nm
飽和光功率	113pW@ 850nm (Hi-Z)	6uW @960nm (Hi-Z)	660 uW@1550nm (Hi-Z)
芾寬	DC •-5MHz	DC - 200kHz	DC - 5MHz
NEP	7.2 pW/4HZ1/2	2.2 pW/HZ1/2	64.5 pW/HZ1/2
輸出噪聲（RMS）	700 uV	1 mV ?typ	1.3 mV .typ
暗電流偏置（MAX）	±5 mV	±1 mV	±5 mV
上升沿/下降沿（10%—90%）	65 ns	1.7 us	68ns
輸出電壓
Hi-Z	0- SV (Hi-Z)	0-6V (Hi-Z)	0-6V (Hi-Z)
500	0 • 2.5V (50ohm)	0 • 25V (50ohm)	0 • 25V (50ohm)
增益倍數(shù)
Hi-Z	67.5 kV/A	1.68 MV/A	10 kV/A
50Q	33.8 kV/A	0.84 MV/A	5kV/A
增益精度（typ）	±1%	±1%	±1%
其他參數(shù)
	撥動(dòng)開關(guān)	撥動(dòng)開關(guān)	撥動(dòng)開關(guān)
輸出接口	BNC	BNC	BNC
尺寸	535050mm	535050mm	535050mm
重量	150g	150g	150g
操作溫度	10-50deg	10-50deg	10-50deg
存儲(chǔ)溫度	?25°C - 70°C	-25°C - 70°C	-25°C - 70°C

銦鎵砷光電探測(cè)器，帶放大，固定增益型號(hào)參考

型號(hào)	波長(zhǎng)	帶寬	上升時(shí)間	增益		RMS噪聲	NEP	感應(yīng)面	工作溫度	電源
型號(hào)	波長(zhǎng)	帶寬	上升時(shí)間	Hi-Z 負(fù)載	50Ω 負(fù)載	RMS噪聲	NEP	感應(yīng)面	工作溫度	電源
PDA10A8B4G-NIR	800 - 1700 nm	DC - 140MHz	2.5 nS	1*104 V/A	5*103 V/A	760µV .typ	4.8*10-12 W/√HZ	ф1 mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA05A7B4G-NIR	800 - 1700 nm	DC - 25MHz	14 nS	1.2*104 V/A	6*103 V/A	1mV .typ	1.9*10-11 W/√HZ	ф0.5 mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA10A7B4G-NIR	800 - 1700 nm	DC - 12MHz	29 nS	1*104 V/A	5*103 V/A	800µV .typ	2.6*10-11 W/√HZ	ф1 mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA20A6B4G-NIR	800 - 1700 nm	DC - 5MHz	70 nS	1*104 V/A	5*103 V/A	1.3mV .typ	6.5*10-11 W/√HZ	ф2 mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA30A6B4G-NIR	800 - 1700 nm	DC - 2MHz	175 nS	1*104 V/A	5*103 V/A	800µV .typ	6.3*10-11 W/√HZ	ф3 mm	10-50℃	包含（±9V）