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InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

產品簡介

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單光子檢測的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測等領域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求，實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

產品型號：

更新時間：2024-12-05

廠商性質：經銷商

訪問量：1454

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產品分類

光電探測器

超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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品牌	其他品牌	產地類別	進口
應用領域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單光子檢測的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測等領域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求，實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

光譜響應

900-1700nm

響應度

@1550nm 0.85 A/W

技術參數

線性模式參數

產品型號				IGA-APD-GM104-R
參數	符號	單位	測試條件	最小	典型	最大
反向擊穿電壓	VBR	V	22℃±3℃ ，ID =10μA	60	80	90
響應度	Re	A/W	22℃±3℃ ,λ =1550nm ，M =1	0.8	0.85
暗電流	ID	nA	22℃±3℃ ，M =10		0.1	0.3
電容	C	pF	22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz			0.25
擊穿電壓溫度系數	η	V/K	-40℃ ~80℃，ID =10μA			0.15

蓋革模式參數


參數	單位	測試條件	最小	典型	最大
單光子探測效率PDE	%	-45℃ ，λ =1550nm， 0.1ph/pulse 泊松分布單光子源	20
暗計數率DCR	kHz	-45℃ ，1ns門寬， 2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20%			20*
后脈沖概率 APP		-45℃ ，1ns門寬， 2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20%			1× 10-3
時間抖動Tj	ps	-45℃ ，1ns 門寬，2MHz門控重頻，PDE=20%			100

* 可提供不同等級規格產品

產品特點

● 光譜響應范圍0.9~1.7μm

● 高探測效率、低暗計數率

● 3 pin TO46

尺寸規格

TO46 （尾纖封裝）

產品應用

● 弱光探測

● 量子保密通信

● 生物醫療

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InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單光子檢測的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測等領域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求，實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。